熱門關(guān)鍵詞: 厚聲電阻風(fēng)華電容ADI/亞德諾半導(dǎo)體NXP/恩智浦長(zhǎng)電三極管
近日,內(nèi)地氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功通過(guò)香港交易所的上市聆訊。作為一家具備雄厚技術(shù)實(shí)力的半導(dǎo)體公司,英諾賽科近年來(lái)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著的市場(chǎng)地位。根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù),英諾賽科在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的市場(chǎng)份額為約0.2%,而在中國(guó)市場(chǎng)的市佔(zhàn)率則為0.4%。憑借創(chuàng)新的氮化鎵技術(shù),該公司于2023年在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名首位,展示出其在行業(yè)中的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
盡管如此,英諾賽科的財(cái)務(wù)表現(xiàn)仍顯壓力。根據(jù)其最新披露的招股書,公司在過(guò)去三年半期間持續(xù)虧損。2021年、2022年及2023年度的虧損分別達(dá)33.99億元、22.05億元和11.02億元人民幣。即便如此,公司仍致力于通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)拓展,進(jìn)一步提升其產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透力。
英諾賽科的上市,得到了中金公司和招銀國(guó)際的鼎力支持,作為聯(lián)席保薦人,兩家公司為其資本市場(chǎng)布局提供了強(qiáng)有力的背書。盡管當(dāng)前虧損狀況仍未得到根本扭轉(zhuǎn),但英諾賽科依托其在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,未來(lái)有望吸引更多的投資者關(guān)注。
在全球功率半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展的背景下,氮化鎵材料憑借其高效能和低能耗的特點(diǎn),正逐漸成為業(yè)界的新寵。英諾賽科作為該領(lǐng)域的領(lǐng)軍者,其未來(lái)的市場(chǎng)前景值得期待。通過(guò)此次上市,公司計(jì)劃募集資金進(jìn)一步加大研發(fā)投入,并加強(qiáng)其在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力,力爭(zhēng)在全球氮化鎵市場(chǎng)中占據(jù)更大的份額。
隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng),英諾賽科無(wú)疑將成為未來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)的重要一員,值得業(yè)內(nèi)和投資者的持續(xù)關(guān)注。
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